APT5028BVR |
RFQ for APT5028BVR |
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| Technical/Catalog Information | APT5028BVRG |
| Vendor | Microsemi-PPG |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Through Hole |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 500mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3180pF @ 25V |
| Power - Max | 250W |
| Packaging | Tube |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 175nC @ 10V |
| Package / Case | TO-247 |
| FET Feature | Standard |
| Drawing Number | * |
| Lead Free Status | Lead Free |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Other Names | APT5028BVRG APT5028BVRG |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| APT5028BVR | - | TO-247 [B] | `06+(pb-free) |
Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout.
Features |
| • Faster Switching • 100% Avalanche Tested• Lower Leakage • Popular TO-247 Package |
| Symbol | Parameter |
APT5028BVR |
UNIT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VDSS | Drain-Source Voltage |
500 |
Volts | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ID | Continuous Drain Current @ TC = 25 |
20 |
Amps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDM | Pulsed Drain Current |
80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGS | Gate-Source Voltage Continuous |
±30 |
Volts | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VGSM | Gate-Source Voltage Transient |
±40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD | Total Power Dissipation @ TC = 25 |
250 |
Watts | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Linear Derating Factor |
2 |
W/ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TJ,TSTG | Operating and StorageTemperature Range |
-55 to 150 |
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| TL | Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec. |
300 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IAR | Avalanche Current(Repetitive and Non-Repetitive) |
20 |
Amps | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAR | Repetitive Avalanche Energy |
30 |
mJ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAS | Single Pulse Avalanche Energy |
SupplierPost a Buying LeadPDF / DatasheetRelated PDFRelated Models
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